Russian version
English version
ОБ АЛЬЯНСЕ | НАШИ УСЛУГИ | КАТАЛОГ РЕШЕНИЙ | ИНФОРМАЦИОННЫЙ ЦЕНТР | СТАНЬТЕ СПОНСОРАМИ SILICON TAIGA | ISDEF | КНИГИ И CD | ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | УПРАВЛЕНИЕ КАЧЕСТВОМ | РОССИЙСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ | НАНОТЕХНОЛОГИИ | ЮРИДИЧЕСКАЯ ПОДДЕРЖКА | АНАЛИТИКА | КАРТА САЙТА | КОНТАКТЫ
 
Нанотехнологии
 
Для зарегистрированных пользователей
 
РАССЫЛКИ НОВОСТЕЙ
IT-Новости
Новости компаний
Российские технологии
Новости ВПК
Нанотехнологии
 
Поиск по статьям
 
RSS-лента
Подписаться
Nano-новости

Новая память работает в сто раз быстрее обычной компьютерной памяти

Международная группа, в состав которой вошли исследователи из Калифорнийского университета в Беркли и Национальной лаборатории наноустройств в Тайвне, создала новый вид электронной памяти, способной осуществлять процессы записи и стирания информации в 10-100 раз быстрее, чем самые быстрые образцы существующей компьютерной памяти, использующей для хранения информации электрический заряд. Новая память состоит из слоя диэлектрического материала с включенными в него дискретными кремниевым наноточками, диаметром всего 3 нм. И каждая такая наноточка может хранить один бит информации.
Кремниевые нанточки

Что бы управлять операциями с памятью, вся структура покрыта тонким слоем металла, который выступает в роли металлического управляющего электрода, затвора. А кремниевая наноточка, в совокупности с диэлектрическим материалом и металлическим управляющим электродом, представляет собой полевой транзистор, способный находиться в активном и неактивном состоянии.

"Созданная нами структура ячейки памяти может быть изготовлена с помощью самой обычной технологии производства полупроводников CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor)" - рассказывает Джия-Мин Ших, исследователь с Тайваня. - "Используя массивы из многочсленных кремниевых наноточек, можно получить память практически любой емкости, информация в которой записывается и считывается быстрым и простым способом".

Секрет потрясающего быстродействия нового типа памяти заключается в использовании сверхкоротких вспышек света зеленого лазера. Воздействие лазерного света на металлический слой в районе кремниевой точки позволяет активировать выбранную ячейку памяти, считать или записать в нее информацию.

По словам исследователей, такой метод хранения информации является весьма надежным и долговременным. Даже в том случае, если какая-либо ячейка памяти полностью выходит из строя, то это не затрагивает ни соседние ячейки памяти, ни информацию, в них содержащуюся. Такие характеристики памяти на кремниевых наноточках позволят создавать на ее основе новые надежные и высокоскоростные устройства долговременного хранения данных.


  Рекомендовать страницу   Обсудить материал Написать редактору  
  Распечатать страницу
 
  Дата публикации: 23.04.2012  

ОБ АЛЬЯНСЕ | НАШИ УСЛУГИ | КАТАЛОГ РЕШЕНИЙ | ИНФОРМАЦИОННЫЙ ЦЕНТР | СТАНЬТЕ СПОНСОРАМИ SILICON TAIGA | ISDEF | КНИГИ И CD | ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | УПРАВЛЕНИЕ КАЧЕСТВОМ | РОССИЙСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ | НАНОТЕХНОЛОГИИ | ЮРИДИЧЕСКАЯ ПОДДЕРЖКА | АНАЛИТИКА | КАРТА САЙТА | КОНТАКТЫ

Дизайн и поддержка: Silicon Taiga   Обратиться по техническим вопросам  
Rambler's Top100 Rambler's Top100