Russian version
English version
ОБ АЛЬЯНСЕ | НАШИ УСЛУГИ | КАТАЛОГ РЕШЕНИЙ | ИНФОРМАЦИОННЫЙ ЦЕНТР | СТАНЬТЕ СПОНСОРАМИ SILICON TAIGA | ISDEF | КНИГИ И CD | ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | УПРАВЛЕНИЕ КАЧЕСТВОМ | РОССИЙСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ | НАНОТЕХНОЛОГИИ | ЮРИДИЧЕСКАЯ ПОДДЕРЖКА | АНАЛИТИКА | КАРТА САЙТА | КОНТАКТЫ
 
НАВИГАЦИЯ
 
Для зарегистрированных пользователей
 
РАССЫЛКИ НОВОСТЕЙ
IT-Новости
Новости компаний
Российские технологии
Новости ВПК
Нанотехнологии
 
Поиск по статьям
 
RSS-лента
Подписаться
Российские технологии

Чубайс открыл первое нанопроизводство в Москве

Наталья Лаврентьева

Госкорпорация «Роснано» инвестирует 150 млн руб. в новую площадку компании РМТ по производству термоэлектрических охлаждающих элементов, расположенную в Москве. Как рассказал CNews директор по маркетингу РМТ Тимофей Громов, это второй по счету производственный актив компании. Ожидается, что на полную мощность он заработает уже осенью 2011 г.

В Москве будет осуществляться разработка и производство продукции под небольшие заказы, отмечает Громов. Более крупная площадка, рассчитанная на производство под крупные заказы, базируется в Нижнем Новгороде.

Общий бюджет проекта составляет около 800 млн руб. Из них, по словам Громова, сама РМТ вложила около 30%. Соинвестором проекта, помимо «Роснано», выступил венчурный фонд «С-Групп Венчурс», созданный с участием капитала РВК. По словам представителей фонда, объем инвестиций с их стороны «сопоставим с вкладом «Роснано». Оставшиеся средства РМТ привлекает за счет банковского кредита.

В 2009 г., когда наблюдательный совет «Роснано» одобрил финансирование проекта, предполагалось, что общий его бюджет составит 827 млн руб., из которых из которых 150 млн руб. вложит госкорпорация, 167 млн руб. - РМТ и 150 млн руб. - соинвестор. Еще 360 млн руб. планировалось привлечь в виде кредита от банка.

Термоэлектрические охлаждающие элементы используются для охлаждения лазеров, фотоприемников, интегральных микросхем и широко применяются, например, в телекоммуникационной индустрии, медицине, при производстве систем безопасности, приборов ночного видения. Кроме того, они используются для космических проектов, например, для охлаждения некоторых компонентов спутников. Размер частиц материала, из которых РМТ изготавливает термоэлектрические элементы, составляет от 5нм до 20нм.

РМТ производит несколько серий термоэлектрических охлаждающих микроэлементов

Как сообщают в РМТ, около 80% ее продукции идет на экспорт. Основными странами сбыта являются США, Япония, Канада, страны Европы и Юго-Восточной Азии. Свою текущую долю на мировом рынке компания оценивает примерно в 2,5%. Открывая производство в Москве, глава «Роснано» Анатолий Чубайс отметил, что перед РМТ стоит задача к 2015 г. занять около 10% рынка.

Выручка РМТ в 2010 г. составила 146 млн руб. К 2015 г. компания рассчитывает достичь показателя в 1,3 млрд руб.

Стоит отметить, что новая производственная площадка стала четвертой по счету, созданной при участии «Роснано». Первая, по производству монолитного твердосплавного инструмента с многослойным наноструктурированным покрытием, была открыта в апреле 2010 г. в Рыбинске.

В ноябре 2010 г. госкорпорация совместно с «Онэксимом» Михаила Прохорова и «Республиканской инвестиционной компанией» открыли площадку по производству светодиодов на бывшем заводе Elcoteq в Санкт-Петербурге. Позднее в том же году госкорпорация совместно с компанией ЕСМ открыла площадку по производству электрохимических станков для прецизионного изготовления деталей из наноструктурированных материалов и нанометрического структурирования поверхности в Уфе.

Одновременно с открытием нового производства в Москве, «Роснано» также объявила о заключении инвестиционного соглашения по созданию в России производства памяти MRAM (магниторезистивной памяти) с французской компанией Crocus Technology. Объем сделки составляет $300 млн, из них до $140 млн планирует вложить госкорпорация.

В рамках соглашения планируется создать компанию Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит в России завод по производству памяти MRAM с проектными нормами 90-нм и 65-нм. В перспективе технологический процесс планируется усовершенствовать до 45-нм.


  Рекомендовать страницу   Обсудить материал Написать редактору  
  Распечатать страницу
 
  Дата публикации: 19.05.2011  

ОБ АЛЬЯНСЕ | НАШИ УСЛУГИ | КАТАЛОГ РЕШЕНИЙ | ИНФОРМАЦИОННЫЙ ЦЕНТР | СТАНЬТЕ СПОНСОРАМИ SILICON TAIGA | ISDEF | КНИГИ И CD | ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | УПРАВЛЕНИЕ КАЧЕСТВОМ | РОССИЙСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ | НАНОТЕХНОЛОГИИ | ЮРИДИЧЕСКАЯ ПОДДЕРЖКА | АНАЛИТИКА | КАРТА САЙТА | КОНТАКТЫ

Дизайн и поддержка: Silicon Taiga   Обратиться по техническим вопросам  
Rambler's Top100 Rambler's Top100